英特尔高管：准备开始制造4纳米芯片，明年下半年转向3纳米

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彭博12月6日消息，英特尔高管周一称，该公司正在实现为重新夺回半导体制造业领先地位而制定的所有目标。英特尔副总裁兼技术开发负责人Ann Kelleher周一在旧金山举行的新闻发布会上表示，“我们完全走上了正轨。”英特尔目前正在大规模生产7纳米芯片，Kelleher透露该公司准备开始制造4纳米半导体，并将于2023年下半年转向3纳米。

上月下旬，英特尔发出电邮声明，重启代工业务的主将塔克尔（Randhir Thakur）“已决定离开他的职位，追求公司外部的机会。他会待到2023年第一季度结束，以确保顺利交接给新主管”。塔克尔在接受日经亚洲采访时曾谈及，英特尔计划在2030年前超越三星成为全球第二大晶圆代工厂，并期望产生领先的代工厂利润。